EUV파운드리D램 라인 조성 발표 10여일 만에 또다시 대규모 투자
총 16조원 이상 규모될 듯
이재용 삼성전자 부회장이 코로나19 위기속에서 공격적인 대규모 투자로 반도체 초격차에 나선다.
삼성전자가 경기도 평택 반도체사업장에서 내년 하반기 7세대 V낸드 생산을 목표로 생산라인을 추가 증설을 위한 투자에 나섰다. 앞서 평택에 파운드리(주문 생산)를 신설하겠다고 밝힌 후 10여일만의 추가 투자 공개다.
이를위해 삼성전자는 지난달 평택 2라인에 낸드플래시 생산을 위한 클린룸 공사에 착수했으며, 2021년 하반기 양산을 시작할 계획이라고 1일 밝혔다.
회사측은 구체적인 투자규모는 밝히지 않았으나 업계에서는 삼성전자가 제2라인 낸드플래시 설비를 위해 대략 8조원 가량 투자할 것으로 보고 있다.
이번 삼성전자의 평택캠퍼스 낸드플래시 증설 투자 발표는 지난달 21일 같은 공장에 극자외선(EUV) 파운드리(반도체 위탁 생산) 라인 조성을 위해 약 8조원 이상을 투자하겠다고 밝힌지 불과 열흘 만이다. 10여일 사이 발표한 투자규모만 최대 최대 16조원에 달하는 셈이다.
낸드플래시 증설 라인에서는 삼성전자의 최첨단 V낸드플래시 제품을 내년 하반기 양산할 예정이다. 삼성전자가 적층 수 160단 이상인 7세대(1yy단) V낸드플래시 제품 양산 시점을 언급한 것은 이번이 처음이다.
이번 투자는 AI, IoT 등 4차 산업혁명 도래와 5G 보급에 따른 중장기 낸드수요 확대에 대응하기 위해서다.
특히 최근 '언택트' 라이프스타일 확산으로 이런 추세가 더욱 가속될 것으로 예상되는 가운데, 삼성전자는 적극적인 투자로 미래 시장기회를 선점해 나간다는 전략이다.
지난 2015년 조성된 삼성전자 평택캠퍼스는 총 4개 라인이 들어설 수 있는 규모로, 현재 건설된 2개 라인은 각각 단일 반도체 생산시설로는 세계 최대 규모다. 삼성전자는 2017년 가동한 1공장(P1)에서 D램과 V낸드플래시를 생산하고 있다.
현재 건설 중인 2라인은 올 하반기부터 극자외선(EUV)을 활용한 차세대 파운드리 D램을 생산할 예정이다.
이번 투자로 증설된 2라인에서는 삼성전자의 최첨단 V낸드플래시 제품이 양산될 예정이다.
이에따라 삼성전자의 시장지배력은 더욱 강화될 전망이다. 삼성전자는 2002년부터 18년간 낸드플래시 시장 1위 자리를 지키고 있다. 시장조사기관 D램익스체인지에 따르면, 삼성전자는 지난 1분기 세계 낸드플래시 시장 점유율 33.3%를 기록하고 있다.
삼성전자는 낸드플래시 부문에서 독보적인 제조·기술력을 보유하고 있다. 지난해 7월에는 업계 최초로 6세대(100단 이상) V낸드 양산에 돌입하기도 했다
삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실 최철 부사장은 "이번 투자는 불확실한 환경 속에서도 메모리 초격차를 더욱 확대하기 위한 노력"이라며 "최고의 제품으로 고객 수요에 차질없이 대응함으로써 국가경제와 글로벌 IT산업 성장에 기여할 것"이라고 밝혔다.
삼성전자는 국내에는 경기도 화성과 평택, 해외에는 중국 산시성 시안에 낸드플래시 생산 라인을 운영 중이다.
이재용 삼성전자 부회장은 지난달 18일 코로나19 와중에도 중국 시안 사업장을 찾고 낸드플래시 증설 투자 현장을 점검하기도 했다.
삼성전자 관계자는 "국내외 균형 있는 투자를 통해 안정적인 글로벌 공급망을 유지하고 시장 리더십을 강화할 것"이라고 전했다.
