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삼성전자, '업계 최초' D램에 EUV 적용…미세공정 한계 돌파
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삼성전자, '업계 최초' D램에 EUV 적용…미세공정 한계 돌파
  • 김석중 기자
  • 승인 2020.03.25 08:45
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고객사에 1세대 10나노급 D램 모듈 100만개 공급
연내 평택 신규 D램 라인 가동 ... 내년부터 차세대 D램 생산
삼성전자 화성사업장 전경. 사진/삼성전자
삼성전자 화성사업장 전경. 사진/삼성전자

삼성전자가 미세공정의 한계를 뛰어넘어 D램의 새로운 패러다임을 제시했다. 업계 최초로 D램에 EUV 공정을 적용해 양산 체제를 갖췄다.   

지난해 파운드리(반도체 위탁생산)에 EUV를 처음 도입한데 이어 메모리 분야인 D램까지 EUV를 적용하는 첫 반도체 생산업체가 된 것이다.

삼성전자는 올해 하반기부터 EUV전용 신규 생산라인인 평택 'V2'를 가동하고, 내년부터 EUV공장을 전면 적용한 차세대 D램 제품을 내놓는다는 계획이다.

삼성전자는 EUV 공정을 적용해 생산한 1세대(1x) 10나노급(1나노 : 10억분의 1미터) DDR4(Double Data Rate 4) D램 모듈 100만개 이상을 공급하여 글로벌 고객의 평가를 완료했다고 25일 밝혔다.

DDR4 D램은 PC나 서버의 임시기억장치로 쓰이는 메모리 반도체다. 삼성전자는 D램 시장에서 약 45%의 점유율로 1위다.  

EUV는 실리콘웨이퍼에 빛을 쪼여 회로를 그리는 노광 공정에 쓰인다. 반도체는 노광 공정으로 새긴 회로를 깎아낸 뒤 쌓아올리는 등의 수백가지 공정을 거쳐 만들어지는데 현재 노광 공정에 많이 쓰이는 불화아르곤(ArF)으로는 10나노급 이하의 초미세회로를 새기는 데 한계가 있다.

하지만 EUV 노광 기술을 적용하면 회로를 새기는 작업을 반복하는 멀티 패터닝(Multi-Patterning) 공정을 줄이면서 패터닝 정확도를 높이게 되어 성능과 수율을 향상시키고 제품 개발 기간을 단축할 수 있는 장점이 있다.

삼성전자는 현재 EUV 공정으로 14나노 초반대 '4세대 10나노급(1a) D램 양산 기술'을 개발하고 있으며, 향후 차세대 제품의 품질과 수율도 기존 공정 제품 이상으로 향상시킬 예정이다.

삼성전자는 "EUV를 이용해 만든 4세대 10나노급(1a) D램은 1세대 10나노급(1x) D램보다도 12인치 웨이퍼당 생산성을 2배 높여 사업 경쟁력을 더욱 강화할 수 있게 됐다"고 밝혔다.

삼성전자는 내년에 성능과 용량을 더욱 높인 4세대 10나노급(1a) D램(DDR5, LPDDR5)을 양산하고 5세대, 6세대 D램도 선행 개발해 프리미엄 메모리 시장에서의 기술 리더십을 더욱 강화해 나간다는 전략이다.

삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 이정배 부사장은 "업계 최초로 EUV 공정을 D램 양산에 적용해 글로벌 고객들에게 더욱 차별화된 솔루션을 한발 앞서 제공할 수 있게 됐다"면서 "내년에도 혁신적인 메모리 기술로 차세대 제품을 선행 개발해 글로벌 IT 시장이 지속적으로 성장하는데 기여할 것"이라고 밝혔다.

한편, 삼성전자는 내년부터 DDR5/LPDDR5 D램 시장의 본격 확대에 맞춰 글로벌 IT 고객과 기술협력을 강화하고 업체간 다양한 표준화 활동을 추진해, 차세대 시스템에서 신제품 탑재 비중을 지속적으로 높여 나갈 예정이다.

D램 모듈. 사진/삼성전자
D램 모듈. 사진/삼성전자

 


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